ZAČETNE FAZE RASTI ORGANSKIH POLPREVODNIKOV NA SiO2
Pričujoče delo obravnava začetne faze rasti organskega polprevodnika N, N´-1H, 1H- perfluorobutil diciano perilen karboksamid (PDIF-CN2) na površini silicijevega dioksida (SiO2). PDIF-CN2 je bil na površino SiO2 nanešen z rotacijskim nanašalcem pod različnimi pogoji. Glede na pogoje nanosa se je spreminjala morfologija narejenih vzorcev. Morfologije so bile analizirane z mikroskopom na atomsko silo. S slik mikroskopa na atomsko silo smo z višinsko porazdelitvijo in funkcijo spektralne gostote moči pridobili podatke o prekritosti vzorcev z otoki molekul PDIF-CN2, višini otokov na površini vzorca, povprečni hrapavosti vzorca, korelacijski dolžini med otoki ter spektralni dolžini in indeksu. Z višinsko porazdelitvijo je bilo ugotovljeno, da znaša povprečna višina otokov na površini vzorcev približno 1,1 nm in da se prekritost vzorcev z molekulami povečuje s povečevanjem koncentracije raztopine in zmanjševanjem kotne hitrosti pri nanosu z rotacijskim nanašalcem. Analiza funkcije spektralne gostote moči površin je pokazala, da je pri večini vzorcev korelacijska dolžina čez celotno preiskano območje, da se povprečna hrapavost povečuje s povečevanjem koncentracije raztopine in kotne hitrosti ter da pospešek pri rotacijskem nanašanju skupaj s kotno hitrostjo vpliva na obliko fraktalov na površini vzorcev.
2018
2018-09-23 15:53:06
1060
PDIF-CN2, mikroskop na atomsko silo, rotacijsko nanašanje, Gwyddion, avtokorelacijska funkcija, funkcija spektralne gostote moči.
mb22
Gvido
Bratina
991
Alen
Oršulić
70
COBISS_ID
3
5229307
NUK URN
18
URN:SI:UNG:REP:BIWHMPKS
Alen_Orsulic.pdf
2372810
Predstavitvena datoteka
2018-09-23 15:59:15