Repozitorij Univerze v Novi Gorici

Iskanje po repozitoriju
A+ | A- | Pomoč | SLO | ENG

Iskalni niz: išči po
išči po
išči po
išči po
* po starem in bolonjskem študiju

Opcije:
  Ponastavi


1 - 3 / 3
Na začetekNa prejšnjo stran1Na naslednjo stranNa konec
1.
Optimization od aerodynamic surfaces using pressure based functionals
Matej Andrejašič, 2014, doktorska disertacija

Najdeno v: ključnih besedah
Povzetek najdenega: ...Stratfordov odcepitveni kriterij, laminarno turbulentni prehod, tlačni upor, viskozni upor, mejna plast, disertacije, ...
Ključne besede: aerodinamika, numerična optimizacija, tlačni funkcional, panelna metoda, ugodna porazdelitev tlaka, Stratfordov odcepitveni kriterij, laminarno turbulentni prehod, tlačni upor, viskozni upor, mejna plast, disertacije
Objavljeno: 25.04.2014; Ogledov: 2053; Prenosov: 139
URL Polno besedilo (0,00 KB)
Gradivo ima več datotek! Več...

2.
Vpliv dielektrika na delovanje organskega tankoplastnega tranzistorja: organski in anorganski dielektriki
Anže Peternel, 2015, diplomsko delo

Opis: Organski tankoplastni tranzistorji (OTFT) so polprevodniški elementi, ki opravljajo funkcijo stikal v elektronskih napravah. Med njihovo najpomembnejšo lastnost štejemo hitrost preklapljanja električnega toka. Hitrost preklapljanja je odvisna od mobilnosti nosilcev naboja, ta pa je odvisna predvsem od stične površine med plastjo dielektrika in polprevodnika. Preučili smo vpliv dielektrika na mobilnost vrzeli v OTFT-jih s polprevodnim polimerom poli(3-heksiltiofen) (P3HT). Primerjali smo dielektrike parilen C, termični oksid (SiO2) in oktadekiltriklorosilan (OTS). Ugotovili smo, da na mobilnost vrzeli močno vplivata hrapavost in polarnost dielektrika. Za najboljši dielektrik se je izkazal OTS, saj je bila mobilnost vrzeli najvišja glede na ostale preučene OTFT-je. Najvišja izmerjena mobilnost vrzeli je znašala 0.03 cm^2 V^−1 s^−1 . Pri OTFT-jih z dielektrikom OTS smo izmerili upor stika med elektrodama in plastjo polprevodnika. Upor je znašal 1 MΩ in predstavlja veliko oviro za tok, ki teče skozi OTFT. Iz pridobljenih rezultatov sklepamo, da so OTFT-ji z organskimi dielektriki boljši kot OTFT-ji z dielektrikom SiO2, če je njihova površina ravna in hidrofobna. Sklepamo da z optimizacijo upora stika med elektrodo in plastjo polprevodnika lahko pripravimo OTFT-je, ki so primerni za izdelavo fleksibilne organske elektronike.
Najdeno v: ključnih besedah
Povzetek najdenega: ...Pri OTFT-jih z dielektrikom OTS smo izmerili upor stika med elektrodama in plastjo polprevodnika. Upor je...
Ključne besede: konjugirani polimeri, P3HT, termični oksid SiO2, parilen C, OTS, tokovno-napetostna karakteristika, mobilnost nosilcev naboja, pragovna napetost, upor stika kovina – polprevodnik
Objavljeno: 28.09.2015; Ogledov: 3183; Prenosov: 73
.pdf Polno besedilo (10,50 MB)

3.
The Road Movie
Anna Loi, 2018, diplomsko delo

Opis: Film Ceste je pojav s širokimi družbenimi in kulturnimi posledicami. Pričujoče diplomsko delo analizira značilnosti tega žanra, pri čemer upošteva nekatere najpomembnejše filme, ki so se izkazali za ključne za razvoj žanra. V povojnem obdobju, ko se je družba spreminjala, ko se je ponovno pojavil optimizem in ko se je življenjski standard povzpel do točke, da si je tudi srednji sloj lahko privoščil potovanja brez posebnega razloga, je postal tako imenovani “road movie” oziroma film ceste množični ameriški pojav, ki je bil v veliki meri je bil povezan tudi s prostranostjo ZDA in z njenimi temeljnimi kulturnimi spremembami. Ta filmski žanr se je kmalu razširil po vsem svetu in ustvaril lastna pravila in zgodovino, postal pa je tudi glasnik generacije 60. let 20. stoletja. Do danes se filmi ceste še vedno dotikajo teme samospoznavanja in odkrivanja in pogosto ne predstavljajo le fizičnega, temveč tudi metaforično potovanje vase, prav tako pa zelo pogosto vsebujejo politično izjavo.
Najdeno v: ključnih besedah
Povzetek najdenega: ...potovanje, film, cesta, upor, samospoznavanje...
Ključne besede: potovanje, film, cesta, upor, samospoznavanje
Objavljeno: 19.12.2018; Ogledov: 161; Prenosov: 5
.pdf Polno besedilo (94,16 MB)

Iskanje izvedeno v 0 sek.
Na vrh