Izpis gradiva

A+ | A- | | SLO | ENG

Naslov: Vpliv dielektrika na delovanje organskega tankoplastnega tranzistorja: organski in anorganski dielektriki Avtorji: ID Pavlica, Egon (Mentor) Več o mentorju... ID Peternel, Anže (Avtor) Datoteke: Anze_Peternel.pdf (10,50 MB) MD5: 12E32F4A6B5E061D09C08C81EBD4BD5A   Jezik: Slovenski jezik Vrsta gradiva: Diplomsko delo/naloga Tipologija: 2.11 - Diplomsko delo Organizacija: FAN - Fakulteta za aplikativno naravoslovje Opis: Organski tankoplastni tranzistorji (OTFT) so polprevodniški elementi, ki opravljajo funkcijo stikal v elektronskih napravah. Med njihovo najpomembnejšo lastnost štejemo hitrost preklapljanja električnega toka. Hitrost preklapljanja je odvisna od mobilnosti nosilcev naboja, ta pa je odvisna predvsem od stične površine med plastjo dielektrika in polprevodnika. Preučili smo vpliv dielektrika na mobilnost vrzeli v OTFT-jih s polprevodnim polimerom poli(3-heksiltiofen) (P3HT). Primerjali smo dielektrike parilen C, termični oksid (SiO2) in oktadekiltriklorosilan (OTS). Ugotovili smo, da na mobilnost vrzeli močno vplivata hrapavost in polarnost dielektrika. Za najboljši dielektrik se je izkazal OTS, saj je bila mobilnost vrzeli najvišja glede na ostale preučene OTFT-je. Najvišja izmerjena mobilnost vrzeli je znašala 0.03 cm^2 V^−1 s^−1 . Pri OTFT-jih z dielektrikom OTS smo izmerili upor stika med elektrodama in plastjo polprevodnika. Upor je znašal 1 MΩ in predstavlja veliko oviro za tok, ki teče skozi OTFT. Iz pridobljenih rezultatov sklepamo, da so OTFT-ji z organskimi dielektriki boljši kot OTFT-ji z dielektrikom SiO2, če je njihova površina ravna in hidrofobna. Sklepamo da z optimizacijo upora stika med elektrodo in plastjo polprevodnika lahko pripravimo OTFT-je, ki so primerni za izdelavo fleksibilne organske elektronike. Ključne besede: konjugirani polimeri, P3HT, termični oksid SiO2, parilen C, OTS, tokovno-napetostna karakteristika, mobilnost nosilcev naboja, pragovna napetost, upor stika kovina – polprevodnik Kraj izida: Nova Gorica Leto izida: 2015 PID: 20.500.12556/RUNG-1999  COBISS.SI-ID: 4040699  NUK URN: URN:SI:UNG:REP:BP6X0S4K Datum objave v RUNG: 28.09.2015 Število ogledov: 10103 Število prenosov: 306 Metapodatki:    Citiraj gradivo Navadno besedilo BibTeX EndNote XML EndNote/Refer RIS ABNT ACM Ref AMA APA Chicago 17th Author-Date Harvard IEEE ISO 690 MLA Vancouver : PETERNEL, Anže, 2015, Vpliv dielektrika na delovanje organskega tankoplastnega tranzistorja: organski in anorganski dielektriki [na spletu]. Diplomsko delo. Nova Gorica. [Dostopano 7 april 2025]. Pridobljeno s: https://repozitorij.ung.si/IzpisGradiva.php?lang=slv&id=1999 Kopiraj citat

Skupna ocena: 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 (0 glasov) Vaša ocena: Ocenjevanje je dovoljeno samo prijavljenim uporabnikom. Objavi na: Podobna dela iz repozitorija: Biofunctionalized AlGaN/GaN high electron mobility transistor for DNA hybridization detection Depth-resolved ultra-violet spectroscopic photo current-voltage measurements for the analysis of AlGaN/GaN high electron mobility transistor epilayer deposited on Si Self-amplified photo-induced gap quenching in a correlated electron material Staranje nitrogvajakola pod vplivom sončne svetlobe Electron transfer complexes Podobna dela iz ostalih repozitorijev: Močnostno stikalo z GaN tranzistorjem Senzorski FET element z 2,5-dimenzionalnim elektronskim plinom Macro to nano spectroscopy SPECTROSCOPIC TERAHERTZ IMAGING Določanje debeline enomolekulskih plasti maščobnih kislin na vodni gladini in na trdnih substratih Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše podrobnosti ali sproži prenos.

Sekundarni jezik

Jezik:	Angleški jezik
Naslov:	The influence of the dielectric on the performance of the organic thin-film transistor: organic and inorganic dielectrics
Opis:	Organic thin-film transistors (OTFT) are organic semiconducting elements that are used as switches in electronic devices. The most important property is their switching speed of the electric current. The switching speed depends on charge carrier mobility, which in turn depends on the interface between the dielectric and a semiconductor. We have examined the effect of the dielectric on the mobility of holes in OTFTs with semiconducting polymer poly(3-hexylthiophene) (P3HT). We compared dielectric materials parylene C, thermal oxide (SiO2) and octadecyltrichlorosilane (OTS). We have found that the mobility of holes highly depends on the roughness and the polarity of the surface. The best dielectric material proved itself to be OTS, since the mobility of holes was the highest compared to other OTFTs. The highest measured mobility of holes was 0.03 cm^2 V^−1 s^−1. In OTFTs with dielectric OTS, we have measured a contact resistance that occurs at the interface between electrodes and semiconductor. We have found that the contact resistance was equal to 1 MΩ, which represents relatively high obstacle for the current that flows through the OTFT. Our results support the conclusion that OTFTs with organic dielectric perform better than OTFTs with dielectric SiO 2 , if their surface is smooth and hydropho- bic. We believe that by optimising the contact resistance, OTFTs can be used in flexible organic electronics.
Ključne besede:	conjugated polymers, P3HT, dielectrics, thermal oxide SiO2, parylene C, OTS, current-voltage characteristics, charge carrier mobility, threshold voltage, contact resistance, dielectric breakdown

Nazaj