Repozitorij Univerze v Novi Gorici

Izpis gradiva
A+ | A- | SLO | ENG

Naslov:Ultra-low leakage and high breakdown Schottky diodes fabricated on free-standing GaN substrate
Avtorji:Wang, Yaqi (Avtor)
Alur, Siddharth (Avtor)
Sharma, Yogesh (Avtor)
Tong, Fei (Avtor)
Thapa, Resham (Avtor)
Gartland, Patrick (Avtor)
Issacs-Smith, Tamara (Avtor)
Ahyi, Claude (Avtor)
Williams, John (Avtor)
Park, Minseo (Avtor)
Johnson, Mark (Avtor)
Paskova, Tanya (Avtor)
Preble, Edward A (Avtor)
Evans, Keith (Avtor)
Datoteke:Gradivo nima datotek. Gradivo je morda fizično dosegljivo v knjižnici fakultete, zalogo lahko preverite v COBISS-u. Povezava se odpre v novem oknu
Jezik:Angleški jezik
Vrsta gradiva:Delo ni kategorizirano (r6)
Tipologija:1.01 - Izvirni znanstveni članek
Organizacija:UNG - Univerza v Novi Gorici
Ključne besede:free-standing GaN substrate, Ultra-low leakage and high breakdown Schottky diodes
Leto izida:2011
Št. strani:4
Številčenje:26, 1
COBISS_ID:4635131 Povezava se odpre v novem oknu
URN:URN:SI:UNG:REP:6SGICGTC
DOI:http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/26/2/022002 Povezava se odpre v novem oknu
Število ogledov:1837
Število prenosov:0
Metapodatki:XML RDF-CHPDL DC-XML DC-RDF
Področja:Gradivo ni uvrščeno v področja.
:
  
Skupna ocena:(0 glasov)
Vaša ocena:Ocenjevanje je dovoljeno samo prijavljenim uporabnikom.

Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše podrobnosti ali sproži prenos.

Gradivo je del revije

Naslov:Semiconductor Science and Technology
Založnik:IOP Publishing: Hybrid Open Access
ISSN:0268-1242
Leto izida:2011

Nazaj