Repozitorij Univerze v Novi Gorici

Izpis gradiva
A+ | A- | SLO | ENG

Naslov:Electrical characteristics of the vertical GaN rectifiers fabricated on bulk GaN wafer
Avtorji:Wang, Yaqi (Avtor)
Xu, Hui (Avtor)
Alur, Siddharth (Avtor)
Sharma, Yogesh (Avtor)
Tong, Fei (Avtor)
Gartland, Patrick (Avtor)
Issacs-Smith, Tamara (Avtor)
Ahyi, Claude (Avtor)
Williams, John (Avtor)
Park, Minseo (Avtor)
Wheeler, Ginger (Avtor)
Johnson, Mark (Avtor)
Allerman, Andrew A. (Avtor)
Hanser, Andrew (Avtor)
Paskova, Tanya (Avtor)
Preble, Edward A. (Avtor)
Evans, Keith R. (Avtor)
Datoteke:Gradivo nima datotek. Gradivo je morda fizično dosegljivo v knjižnici fakultete, zalogo lahko preverite v COBISS-u. Povezava se odpre v novem oknu
Jezik:Angleški jezik
Vrsta gradiva:Delo ni kategorizirano (r6)
Tipologija:1.01 - Izvirni znanstveni članek
Organizacija:UNG - Univerza v Novi Gorici
Ključne besede:GaN, rectifier
Leto izida:2011
Št. strani:3
Številčenje:8
COBISS_ID:4638971 Povezava se odpre v novem oknu
URN:URN:SI:UNG:REP:LSUDYZ1H
DOI:10.1002/pssc.201001158 Povezava se odpre v novem oknu
Število ogledov:1981
Število prenosov:0
Metapodatki:XML RDF-CHPDL DC-XML DC-RDF
Področja:Gradivo ni uvrščeno v področja.
:
  
Skupna ocena:(0 glasov)
Vaša ocena:Ocenjevanje je dovoljeno samo prijavljenim uporabnikom.

Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše podrobnosti ali sproži prenos.

Gradivo je del revije

Naslov:physica status solidi (c)
Založnik:Wiley: 12 months
ISSN:1862-6351
Leto izida:2011

Nazaj