Repozitorij Univerze v Novi Gorici

Izpis gradiva
A+ | A- | Pomoč | SLO | ENG

Naslov:Role of transport band edge variation on delocalized charge transport in high-mobility crystalline organic semiconductors
Avtorji:ID Bratina, Gvido (Avtor)
ID Kadashchuk, Andrey (Avtor)
ID Pavlica, Egon (Avtor)
ID Tong, Fei (Avtor), et al.
Datoteke: Gradivo nima datotek, ki so prostodostopne za javnost. Gradivo je morda fizično dosegljivo v knjižnici fakultete, zalogo lahko preverite v COBISS-u. Povezava se odpre v novem oknu
Jezik:Angleški jezik
Vrsta gradiva:Delo ni kategorizirano
Tipologija:1.01 - Izvirni znanstveni članek
Organizacija:UNG - Univerza v Novi Gorici
Opis:We demonstrate that the degree of charge delocalization has a strong impact on polarization energy and thereby on the position of the transport band edge in organic semiconductors. This gives rise to long-range potential fluctuations, which govern the electronic transport through delocalized states in organic crystalline layers. This concept is employed to formulate an analytic model that explains a negative field dependence coupled with a positive temperature dependence of the charge mobility observed by a lateral time-of-flight technique in a high-mobility crystalline organic layer. This has important implications for the further understanding of the charge transport via delocalized states in organic semiconductors.
Ključne besede:organic semiconducotrs, time of flight, transport
Leto izida:2017
Št. strani:125202-125208
Številčenje:96
PID:20.500.12556/RUNG-3266-e600200a-e2ff-503d-9ece-1c63337c4a98 Novo okno
COBISS.SI-ID:4915195 Novo okno
NUK URN:URN:SI:UNG:REP:BN4JDYR5
Datum objave v RUNG:13.09.2017
Število ogledov:5597
Število prenosov:0
Metapodatki:XML DC-XML DC-RDF
:
BRATINA, Gvido, KADASHCHUK, Andrey, PAVLICA, Egon in TONG, Fei, 2017, Role of transport band edge variation on delocalized charge transport in high-mobility crystalline organic semiconductors. Physical  Review B [na spletu]. 2017. Vol. 96, p. 125202–125208. [Dostopano 7 april 2025]. Pridobljeno s: https://repozitorij.ung.si/IzpisGradiva.php?lang=slv&id=3266
Kopiraj citat
  
Skupna ocena:
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
(0 glasov)
Vaša ocena:Ocenjevanje je dovoljeno samo prijavljenim uporabnikom.
Objavi na:Bookmark and Share


Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše podrobnosti ali sproži prenos.

Gradivo je del revije

Naslov:Physical Review B
Skrajšan naslov:Phys. Rev. B
Leto izida:2017

Gradivo je financirano iz projekta

Financer:ARRS - Agencija za raziskovalno dejavnost Republike Slovenije
Številka projekta:N1-0024

Licence

Licenca:CC BY-NC-ND 4.0, Creative Commons Priznanje avtorstva-Nekomercialno-Brez predelav 4.0 Mednarodna
Povezava:http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/deed.sl
Opis:Najbolj omejujoča licenca Creative Commons. Uporabniki lahko prenesejo in delijo delo v nekomercialne namene in ga ne smejo uporabiti za nobene druge namene.
Začetek licenciranja:13.09.2017

Nazaj