Defect creation and Diffusion under electric fields from first-principles: the prototypical case of silicon dioxide

Izpis gradiva
A+ | A- | | SLO | ENG

Naslov:	Defect creation and Diffusion under electric fields from first-principles: the prototypical case of silicon dioxide
Avtorji:	ID Valant, Matjaž, UNG (Avtor) ID Luigi, Giacomazzi, UNG (Avtor), et al.
Datoteke:	Gradivo nima datotek, ki so prostodostopne za javnost. Gradivo je morda fizično dosegljivo v knjižnici fakultete, zalogo lahko preverite v COBISS-u.
Jezik:	Angleški jezik
Vrsta gradiva:	Delo ni kategorizirano
Tipologija:	1.08 - Objavljeni znanstveni prispevek na konferenci
Organizacija:	UNG - Univerza v Novi Gorici
Ključne besede:	Structural defect, amorphous structure, first-principle calcualtions
Leto izida:	2019
PID:	20.500.12556/RUNG-4837-ec46d610-d68b-f68c-1ad7-6e89dcc3b779
COBISS.SI-ID:	5476347
DOI:	10.1109/SISPAD.2019.8870555
NUK URN:	URN:SI:UNG:REP:DLSX27TF
Datum objave v RUNG:	30.10.2019
Število ogledov:	4131
Število prenosov:	0
Metapodatki:
:	VALANT, Matjaž in LUIGI, Giacomazzi, 2019, Defect creation and Diffusion under electric fields from first-principles: the prototypical case of silicon dioxide. V : Book of proceedings [na spletu]. Objavljeni znanstveni prispevek na konferenci. Udine. 2019. [Dostopano 14 april 2025]. Pridobljeno s: https://repozitorij.ung.si/IzpisGradiva.php?lang=slv&id=4837 Kopiraj citat

Skupna ocena:	0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 (0 glasov)
Vaša ocena:	Ocenjevanje je dovoljeno samo prijavljenim uporabnikom.
Objavi na:

Podobna dela iz repozitorija:

Podobna dela iz ostalih repozitorijev:

Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše podrobnosti ali sproži prenos.

Nazaj