Ključne besede: GaN, rectifierObjavljeno v RUNG: 17.01.2017; Ogledov: 5655; Prenosov: 0Gradivo ima več datotek! Več...
Ključne besede: free-standing GaN substrate, Ultra-low leakage and high breakdown Schottky diodesObjavljeno v RUNG: 16.01.2017; Ogledov: 5517; Prenosov: 0Gradivo ima več datotek! Več...