Najdeno v: osebiKljučne besede: free-standing GaN substrate, Ultra-low leakage and high breakdown Schottky diodesObjavljeno: 16.01.2017; Ogledov: 3442; Prenosov: 0 Polno besedilo (266,96 KB)
Najdeno v: osebiKljučne besede: GaN, rectifierObjavljeno: 17.01.2017; Ogledov: 3556; Prenosov: 0 Polno besedilo (216,76 KB)