Iskanje po repozitoriju

A+ | A- | | SLO | ENG

Iskalni niz:	išči po NaslovAvtorOpisKljučne besedePolno besediloLeto izida
INALIIN NE	išči po NaslovAvtorOpisKljučne besedePolno besediloLeto izida
INALIIN NE	išči po NaslovAvtorOpisKljučne besedePolno besediloLeto izida
INALIIN NE	išči po NaslovAvtorOpisKljučne besedePolno besediloLeto izida
Vrsta gradiva:	Vse vrste gradiv Habilitacijsko delo (m4) Višješolska diplomska naloga (m6) Specialistično delo (m3) Diplomsko delo * (dip) Magistrsko delo * (mag) Doktorska disertacija * (dok) Raziskovalni podatki ali korpus (data) * po starem in bolonjskem študiju
Jezik:	Vsi jezikiSlovenski jezikAngleški jezikNemški jezikHrvaški jezikSrbski jezikBolgarski jezikBosanski jezikČeški jezikFinski jezikFrancoski jezikItalijanski jezikJaponski jezikLitvanski jezikMadžarski jezikNemški jezik (Avstrija)Norveški jezikPoljski jezikRuski jezikSlovaški jezikSrbski jezik (cirilica)Španski jezikŠvedski jezikTurški jezikNi določenNeznan jezik
Išči po:	RUNG    AU - Akademija umetnosti    FAN - Fakulteta za aplikativno naravoslovje    FH - Fakulteta za humanistiko    FN - Fakulteta za naravoslovje    FPŠ - Fakulteta za podiplomski študij    FVV - Fakulteta za vinogradništvo in vinarstvo    FZO - Fakulteta za znanosti o okolju    PTF - Poslovno-tehniška fakulteta    UNG - Univerza v Novi Gorici    VŠU - Visoka šola za umetnost    VŠVV - Visoka šola za vinogradništvo in vinarstvoCOBISS    Univerza v Novi Gorici
Opcije:	Prikaži samo zadetke s polnim besedilom
	Ponastavi

1 - 2 / 2 1

1. Ultra-low leakage and high breakdown Schottky diodes fabricated on free-standing GaN substrate Yaqi Wang, Siddharth Alur, Yogesh Sharma, Fei Tong, Resham Thapa, Patrick Gartland, Tamara Issacs-Smith, Claude Ahyi, John Williams, Minseo Park, Mark Johnson, Tanya Paskova, Edward A Preble, Keith Evans, 2011, izvirni znanstveni članek Najdeno v: osebi Ključne besede: free-standing GaN substrate, Ultra-low leakage and high breakdown Schottky diodes Objavljeno: 16.01.2017; Ogledov: 3442; Prenosov: 0 Polno besedilo (266,96 KB)

2. Electrical characteristics of the vertical GaN rectifiers fabricated on bulk GaN wafer Tanya Paskova, Andrew Hanser, Andrew A. Allerman, Mark Johnson, Ginger Wheeler, Minseo Park, John Williams, Claude Ahyi, Tamara Issacs-Smith, Patrick Gartland, Fei Tong, Yogesh Sharma, Siddharth Alur, Hui Xu, Yaqi Wang, Edward A. Preble, Keith R. Evans, 2011, izvirni znanstveni članek Najdeno v: osebi Ključne besede: GaN, rectifier Objavljeno: 17.01.2017; Ogledov: 3556; Prenosov: 0 Polno besedilo (216,76 KB)

Iskanje izvedeno v 0 sek.

Na vrh