Iskanje po repozitoriju

A+ | A- | | SLO | ENG

Iskalni niz:	išči po NaslovAvtorOpisKljučne besedePolno besediloLeto izida
INALIIN NE	išči po NaslovAvtorOpisKljučne besedePolno besediloLeto izida
INALIIN NE	išči po NaslovAvtorOpisKljučne besedePolno besediloLeto izida
INALIIN NE	išči po NaslovAvtorOpisKljučne besedePolno besediloLeto izida
Vrsta gradiva:	Vse vrste gradiv Habilitacijsko delo (m4) Višješolska diplomska naloga (m6) Specialistično delo (m3) Diplomsko delo * (dip) Magistrsko delo * (mag) Doktorska disertacija * (dok) Raziskovalni podatki ali korpus (data) * po starem in bolonjskem študiju
Jezik:	Vsi jezikiSlovenski jezikAngleški jezikNemški jezikHrvaški jezikSrbski jezikBolgarski jezikBosanski jezikČeški jezikFinski jezikFrancoski jezikItalijanski jezikJaponski jezikLitvanski jezikMadžarski jezikNemški jezik (Avstrija)Norveški jezikPoljski jezikRuski jezikSlovaški jezikSrbski jezik (cirilica)Španski jezikŠvedski jezikTurški jezikNi določenNeznan jezik
Išči po:	RUNG    AU - Akademija umetnosti    FAN - Fakulteta za aplikativno naravoslovje    FH - Fakulteta za humanistiko    FN - Fakulteta za naravoslovje    FPŠ - Fakulteta za podiplomski študij    FVV - Fakulteta za vinogradništvo in vinarstvo    FZO - Fakulteta za znanosti o okolju    PTF - Poslovno-tehniška fakulteta    UNG - Univerza v Novi Gorici    VŠU - Visoka šola za umetnost    VŠVV - Visoka šola za vinogradništvo in vinarstvoCOBISS    Univerza v Novi Gorici
Opcije:	Prikaži samo zadetke s polnim besedilom
	Ponastavi

1 - 2 / 2 1

1. Depth-resolved ultra-violet spectroscopic photo current-voltage measurements for the analysis of AlGaN/GaN high electron mobility transistor epilayer deposited on Si Burcu Ozden, Chungman Yang, Fei Tong, Min Khanal, Vahid Mirkhani, Mobbassar Hassan Sk, Ayayi Ahyi, Minseo Park, 2014, izvirni znanstveni članek Najdeno v: ključnih besedah Ključne besede: AlGaN/GaN high electron mobility transistor, Depth-resolved ultra-violet spectroscopic photo current-voltage measurement Objavljeno: 16.01.2017; Ogledov: 3735; Prenosov: 0 Polno besedilo (862,92 KB)

2. Spectroscopic Photo-IV Diagnostics of Nitride-based HEMT on Si Wafers D.A. Ewoldt, Guofu Niu, Michael Hamilton, Ayayi Ahyi, Ozden Burcu, M Goforth, Chunkun Jiao, Min Khanal, Chunwei Yang, Kosala Yapabandara, Fei Tong, G Chung, Minseo Park, 2013, izvirni znanstveni članek Najdeno v: ključnih besedah Ključne besede: Spectroscopic Photo-IV, AlGaN/GaN HEMT Objavljeno: 16.01.2017; Ogledov: 3503; Prenosov: 0 Polno besedilo (179,21 KB)

Iskanje izvedeno v 0 sek.

Na vrh