Repozitorij Univerze v Novi Gorici

Iskanje po repozitoriju
A+ | A- | Pomoč | SLO | ENG

Iskalni niz: išči po
išči po
išči po
išči po
* po starem in bolonjskem študiju

Opcije:
  Ponastavi


1 - 1 / 1
Na začetekNa prejšnjo stran1Na naslednjo stranNa konec
1.
Vpliv dielektrika na delovanje organskega tankoplastnega tranzistorja: organski in anorganski dielektriki
Anže Peternel, 2015, diplomsko delo

Opis: Organski tankoplastni tranzistorji (OTFT) so polprevodniški elementi, ki opravljajo funkcijo stikal v elektronskih napravah. Med njihovo najpomembnejšo lastnost štejemo hitrost preklapljanja električnega toka. Hitrost preklapljanja je odvisna od mobilnosti nosilcev naboja, ta pa je odvisna predvsem od stične površine med plastjo dielektrika in polprevodnika. Preučili smo vpliv dielektrika na mobilnost vrzeli v OTFT-jih s polprevodnim polimerom poli(3-heksiltiofen) (P3HT). Primerjali smo dielektrike parilen C, termični oksid (SiO2) in oktadekiltriklorosilan (OTS). Ugotovili smo, da na mobilnost vrzeli močno vplivata hrapavost in polarnost dielektrika. Za najboljši dielektrik se je izkazal OTS, saj je bila mobilnost vrzeli najvišja glede na ostale preučene OTFT-je. Najvišja izmerjena mobilnost vrzeli je znašala 0.03 cm^2 V^−1 s^−1 . Pri OTFT-jih z dielektrikom OTS smo izmerili upor stika med elektrodama in plastjo polprevodnika. Upor je znašal 1 MΩ in predstavlja veliko oviro za tok, ki teče skozi OTFT. Iz pridobljenih rezultatov sklepamo, da so OTFT-ji z organskimi dielektriki boljši kot OTFT-ji z dielektrikom SiO2, če je njihova površina ravna in hidrofobna. Sklepamo da z optimizacijo upora stika med elektrodo in plastjo polprevodnika lahko pripravimo OTFT-je, ki so primerni za izdelavo fleksibilne organske elektronike.
Ključne besede: konjugirani polimeri, P3HT, termični oksid SiO2, parilen C, OTS, tokovno-napetostna karakteristika, mobilnost nosilcev naboja, pragovna napetost, upor stika kovina – polprevodnik
Objavljeno v RUNG: 28.09.2015; Ogledov: 8321; Prenosov: 287
.pdf Celotno besedilo (10,50 MB)

Iskanje izvedeno v 0.01 sek.
Na vrh