Izpis gradiva

A+ | A- | | SLO | ENG

Naslov: Odkrivanje napak in zmanjšanje časa izdelave za izbrani artikel Avtorji: ID Furlan, Rene (Avtor) ID Rejec, Valter (Mentor) Več o mentorju... Datoteke: 266Furlan.pdf (1,20 MB) MD5: 3F4142A7972DA952D2FFD4EB63FA5F55   http://www.ung.si/~library/diplome/PTF/266Furlan.pdf   Jezik: Slovenski jezik Vrsta gradiva: Diplomsko delo Tipologija: 2.11 - Diplomsko delo Organizacija: PTF - Poslovno-tehniška fakulteta Ključne besede: vitka proizvodnja, artikli, napake, optimizacija izdelave, znižanje stroškov, diplomske naloge Kraj izida: Nova Gorica Založnik: R. Furlan Leto izida: 2012 Št. strani: XII, 55 str. PID: 20.500.12556/RUNG-1243  COBISS.SI-ID: 2543611  UDK: 658.52:005 NUK URN: URN:SI:UNG:REP:RKGUW29T Datum objave v RUNG: 15.10.2013 Število ogledov: 8787 Število prenosov: 439 Metapodatki:    Citiraj gradivo Navadno besedilo BibTeX EndNote XML EndNote/Refer RIS ABNT ACM Ref AMA APA Chicago 17th Author-Date Harvard IEEE ISO 690 MLA Vancouver : FURLAN, Rene, 2012, Odkrivanje napak in zmanjšanje časa izdelave za izbrani artikel [na spletu]. Diplomsko delo. Nova Gorica : R. Furlan. [Dostopano 26 april 2025]. Pridobljeno s: https://repozitorij.ung.si/IzpisGradiva.php?lang=slv&id=1243 Kopiraj citat

Skupna ocena: 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 (0 glasov) Vaša ocena: Ocenjevanje je dovoljeno samo prijavljenim uporabnikom. Objavi na: Podobna dela iz repozitorija: Schottky barrier - modern views on an old problem (Part I) I-V karakteristike Ag/n-Si(111) Schottky-jeve bariere nanesene po metodi curka ioniziranih skupkov, CIS Nanašanje tankih plasti po metodi curka ioniziranih skupkov, CIS Skrčitev tanke plasti raztopine polimera v asimetrično porozno membrano pri fazni inverziji Podobna dela iz ostalih repozitorijev: Initial stages of organic semiconductor thin film growth Electrical conductivity in 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhidride (PTCDA) Characterization of organic semiconductor thin layers by transient photocurrent spectroscopy Characterization of organic semiconductor thin layers by transient photocurrent spectroscopy Preučevanje izolativne CuN monoplasti z STM mikroskopijo Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše podrobnosti ali sproži prenos.

Nazaj