Naslov: | Ultra-low leakage and high breakdown Schottky diodes fabricated on free-standing GaN substrate |
---|
Avtorji: | Wang, Yaqi (Avtor) Alur, Siddharth (Avtor) Sharma, Yogesh (Avtor) Tong, Fei (Avtor) Thapa, Resham (Avtor) Gartland, Patrick (Avtor) Issacs-Smith, Tamara (Avtor) Ahyi, Claude (Avtor) Williams, John (Avtor) Park, Minseo (Avtor) Johnson, Mark (Avtor) Paskova, Tanya (Avtor) Preble, Edward A (Avtor) Evans, Keith (Avtor) |
---|
Datoteke: | Gradivo nima datotek. Gradivo je morda fizično dosegljivo v knjižnici fakultete, zalogo lahko preverite v COBISS-u.  |
---|
Jezik: | Angleški jezik |
---|
Vrsta gradiva: | Delo ni kategorizirano (r6) |
---|
Tipologija: | 1.01 - Izvirni znanstveni članek |
---|
Organizacija: | UNG - Univerza v Novi Gorici |
---|
Ključne besede: | free-standing GaN substrate, Ultra-low leakage and high breakdown Schottky diodes |
---|
Leto izida: | 2011 |
---|
Št. strani: | 4 |
---|
Številčenje: | 26, 1 |
---|
COBISS_ID: | 4635131  |
---|
URN: | URN:SI:UNG:REP:6SGICGTC |
---|
DOI: | http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/26/2/022002  |
---|
Število ogledov: | 3446 |
---|
Število prenosov: | 0 |
---|
Metapodatki: |  |
---|
Področja: | Gradivo ni uvrščeno v področja. |
---|
:
|
|
---|
| | | Skupna ocena: | (0 glasov) |
---|
Vaša ocena: | Ocenjevanje je dovoljeno samo prijavljenim uporabnikom. |
---|
Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše
podrobnosti ali sproži prenos. |