| Naslov: | Ultra-low leakage and high breakdown Schottky diodes fabricated on free-standing GaN substrate |
|---|
| Avtorji: | Wang, Yaqi (Avtor)
Alur, Siddharth (Avtor)
Sharma, Yogesh (Avtor)
Tong, Fei (Avtor)
Thapa, Resham (Avtor)
Gartland, Patrick (Avtor)
Issacs-Smith, Tamara (Avtor)
Ahyi, Claude (Avtor)
Williams, John (Avtor)
Park, Minseo (Avtor)
Johnson, Mark (Avtor)
Paskova, Tanya (Avtor)
Preble, Edward A (Avtor)
Evans, Keith (Avtor) |
|---|
| Datoteke: | Gradivo nima datotek. Gradivo je morda fizično dosegljivo v knjižnici fakultete, zalogo lahko preverite v COBISS-u.  |
|---|
| Jezik: | Angleški jezik |
|---|
| Vrsta gradiva: | Delo ni kategorizirano (r6) |
|---|
| Tipologija: | 1.01 - Izvirni znanstveni članek |
|---|
| Organizacija: | UNG - Univerza v Novi Gorici |
|---|
| Ključne besede: | free-standing GaN substrate, Ultra-low leakage and high breakdown Schottky diodes |
|---|
| Leto izida: | 2011 |
|---|
| Št. strani: | 4 |
|---|
| Številčenje: | 26, 1 |
|---|
| COBISS_ID: | 4635131 |
|---|
| URN: | URN:SI:UNG:REP:6SGICGTC |
|---|
| DOI: | http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/26/2/022002 |
|---|
| Število ogledov: | 3446 |
|---|
| Število prenosov: | 0 |
|---|
| Metapodatki: |     |
|---|
| Področja: | Gradivo ni uvrščeno v področja. |
|---|
|
:
|
|
|---|
| | | | Skupna ocena: | (0 glasov) |
|---|
| Vaša ocena: | Ocenjevanje je dovoljeno samo prijavljenim uporabnikom. |
|---|
Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše
podrobnosti ali sproži prenos. |