Naslov: | Electrical characteristics of the vertical GaN rectifiers fabricated on bulk GaN wafer |
---|
Avtorji: | Wang, Yaqi (Avtor) Xu, Hui (Avtor) Alur, Siddharth (Avtor) Sharma, Yogesh (Avtor) Tong, Fei (Avtor) Gartland, Patrick (Avtor) Issacs-Smith, Tamara (Avtor) Ahyi, Claude (Avtor) Williams, John (Avtor) Park, Minseo (Avtor) Wheeler, Ginger (Avtor) Johnson, Mark (Avtor) Allerman, Andrew A. (Avtor) Hanser, Andrew (Avtor) Paskova, Tanya (Avtor) Preble, Edward A. (Avtor) Evans, Keith R. (Avtor) |
---|
Datoteke: | Gradivo nima datotek. Gradivo je morda fizično dosegljivo v knjižnici fakultete, zalogo lahko preverite v COBISS-u.  |
---|
Jezik: | Angleški jezik |
---|
Vrsta gradiva: | Delo ni kategorizirano (r6) |
---|
Tipologija: | 1.01 - Izvirni znanstveni članek |
---|
Organizacija: | UNG - Univerza v Novi Gorici |
---|
Ključne besede: | GaN, rectifier |
---|
Leto izida: | 2011 |
---|
Št. strani: | 3 |
---|
Številčenje: | 8 |
---|
COBISS_ID: | 4638971  |
---|
URN: | URN:SI:UNG:REP:LSUDYZ1H |
---|
DOI: | 10.1002/pssc.201001158  |
---|
Število ogledov: | 3549 |
---|
Število prenosov: | 0 |
---|
Metapodatki: |  |
---|
Področja: | Gradivo ni uvrščeno v področja. |
---|
:
|
|
---|
| | | Skupna ocena: | (0 glasov) |
---|
Vaša ocena: | Ocenjevanje je dovoljeno samo prijavljenim uporabnikom. |
---|
Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše
podrobnosti ali sproži prenos. |