Repozitorij Univerze v Novi Gorici

Izpis gradiva
A+ | A- | Pomoč | SLO | ENG

Naslov:Interface-controlled growth of organic semiconductors on graphene
Avtorji:ID Mathews, Jinta, UNG (Avtor)
ID Emin, Saim, UNG (Avtor)
ID Pavlica, Egon, UNG (Avtor)
ID Valant, Matjaž, UNG (Avtor)
ID Bratina, Gvido, UNG (Avtor)
Datoteke: Gradivo nima datotek, ki so prostodostopne za javnost. Gradivo je morda fizično dosegljivo v knjižnici fakultete, zalogo lahko preverite v COBISS-u. Povezava se odpre v novem oknu
Jezik:Angleški jezik
Vrsta gradiva:Delo ni kategorizirano
Tipologija:1.01 - Izvirni znanstveni članek
Organizacija:UNG - Univerza v Novi Gorici
Opis:We have studied submonolayer coverages of N,N-1H,1H-perfluorobutyl dicyanoperylenecarboxydiimide (PDIF-CN2) on mechanically exfoliated graphene transferred onto SiO2 substrates. Our atomic force microscopy (AFM) data show that PDIF-CN2 forms irregularly-shaped 1.4 nm-high islands. From the selected area diffraction performed with transmission electron microscope (TEM) we conclude that this height corresponds to π−π stacks of molecules, which are inclined for 43° relative to the graphene surface. AFM also showed complete absence of PDIF-CN2 on single-layer graphene (SLG). Electric force microscopy revealed a marked difference in surface charge density between a single-layer graphene and bilayer graphene, with a higher surface charge on SLG than on the bilayer graphene. We associate this behavior with p− type doping of graphene due to the electrostatic dipole induced by the molecular water layer present at the graphene/SiO2 interface. The crucial role of the graphene/SiO2 interface in determining growth of PDIF-CN2 was further confirmed by TEM examination of PDIF-CN2 deposited onto unsupported SLG.
Ključne besede:afm, organic semiconductors, graphene
Verzija publikacije:Objavljena publikacija
Leto izida:2017
Št. strani:16
Številčenje:0, 0
PID:20.500.12556/RUNG-3089-af6e5781-f85a-bb71-572d-afe42bca54c6 Novo okno
COBISS.SI-ID:4780795 Novo okno
DOI:10.1016/j.susc.2017.05.005 Novo okno
NUK URN:URN:SI:UNG:REP:4QEVHK2P
Datum objave v RUNG:18.05.2017
Število ogledov:6006
Število prenosov:0
Metapodatki:XML DC-XML DC-RDF
:
MATHEWS, Jinta, EMIN, Saim, PAVLICA, Egon, VALANT, Matjaž in BRATINA, Gvido, 2017, Interface-controlled growth of organic semiconductors on graphene. surface science [na spletu]. 2017. Vol. 0, no. 0. [Dostopano 29 marec 2025]. DOI 10.1016/j.susc.2017.05.005. Pridobljeno s: https://repozitorij.ung.si/IzpisGradiva.php?lang=slv&id=3089
Kopiraj citat
  
Skupna ocena:
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
(0 glasov)
Vaša ocena:Ocenjevanje je dovoljeno samo prijavljenim uporabnikom.
Objavi na:Bookmark and Share


Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše podrobnosti ali sproži prenos.

Gradivo je del revije

Naslov:surface science
Skrajšan naslov:surf.sci.
Založnik:elsevier
Leto izida:2017

Gradivo je financirano iz projekta

Financer:ARRS - Agencija za raziskovalno dejavnost Republike Slovenije
Številka projekta:P1-0055

Licence

Licenca:CC BY-NC-ND 4.0, Creative Commons Priznanje avtorstva-Nekomercialno-Brez predelav 4.0 Mednarodna
Povezava:http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/deed.sl
Opis:Najbolj omejujoča licenca Creative Commons. Uporabniki lahko prenesejo in delijo delo v nekomercialne namene in ga ne smejo uporabiti za nobene druge namene.
Začetek licenciranja:18.05.2017

Nazaj