Naslov: | EPR parameters of E' centers in v-SiO2 from first-principles calculations |
---|
Avtorji: | ID Giacomazzi, Luigi (Avtor) ID Martin-Samos, Layla (Avtor) ID Boukenter, A. (Avtor) ID Ouerdane, Youcef (Avtor) ID Girard, Sylvain (Avtor) ID Richard, Nicolas (Avtor) |
Datoteke: |
Gradivo nima datotek, ki so prostodostopne za javnost. Gradivo je morda fizično dosegljivo v knjižnici fakultete, zalogo lahko preverite v COBISS-u. |
---|
Jezik: | Angleški jezik |
---|
Vrsta gradiva: | Delo ni kategorizirano |
---|
Tipologija: | 1.01 - Izvirni znanstveni članek |
---|
Organizacija: | UNG - Univerza v Novi Gorici
|
---|
Ključne besede: | silica, paramagnetic defects, EPR, disordered semiconductors |
---|
Verzija publikacije: | Objavljena publikacija |
---|
Leto izida: | 2014 |
---|
Št. strani: | 12 |
---|
Številčenje: | 1, 90 |
---|
PID: | 20.500.12556/RUNG-4125-b64e07f5-cdd5-f789-c893-9c8baf111929 |
---|
COBISS.SI-ID: | 3581947 |
---|
ISSN pri članku: | 1098-0121 |
---|
DOI: | doi.org/10.1103/PhysRevB.90.014108 |
---|
NUK URN: | URN:SI:UNG:REP:Q9G2XWLD |
---|
Datum objave v RUNG: | 03.10.2018 |
---|
Število ogledov: | 4625 |
---|
Število prenosov: | 0 |
---|
Metapodatki: | |
---|
:
|
Kopiraj citat |
---|
| | | Skupna ocena: | (0 glasov) |
---|
Vaša ocena: | Ocenjevanje je dovoljeno samo prijavljenim uporabnikom. |
---|
Objavi na: | |
---|
Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše
podrobnosti ali sproži prenos. |