Repozitorij Univerze v Novi Gorici

Izpis gradiva
A+ | A- | Pomoč | SLO | ENG

Naslov:EPR parameters of E' centers in v-SiO2 from first-principles calculations
Avtorji:ID Giacomazzi, Luigi (Avtor)
ID Martin-Samos, Layla (Avtor)
ID Boukenter, A. (Avtor)
ID Ouerdane, Youcef (Avtor)
ID Girard, Sylvain (Avtor)
ID Richard, Nicolas (Avtor)
Datoteke: Gradivo nima datotek, ki so prostodostopne za javnost. Gradivo je morda fizično dosegljivo v knjižnici fakultete, zalogo lahko preverite v COBISS-u. Povezava se odpre v novem oknu
Jezik:Angleški jezik
Vrsta gradiva:Delo ni kategorizirano
Tipologija:1.01 - Izvirni znanstveni članek
Organizacija:UNG - Univerza v Novi Gorici
Ključne besede:silica, paramagnetic defects, EPR, disordered semiconductors
Verzija publikacije:Objavljena publikacija
Leto izida:2014
Št. strani:12
Številčenje:1, 90
PID:20.500.12556/RUNG-4125-b64e07f5-cdd5-f789-c893-9c8baf111929 Novo okno
COBISS.SI-ID:3581947 Novo okno
ISSN pri članku:1098-0121
DOI:doi.org/10.1103/PhysRevB.90.014108 Novo okno
NUK URN:URN:SI:UNG:REP:Q9G2XWLD
Datum objave v RUNG:03.10.2018
Število ogledov:4625
Število prenosov:0
Metapodatki:XML RDF-CHPDL DC-XML DC-RDF
:
Kopiraj citat
  
Skupna ocena:(0 glasov)
Vaša ocena:Ocenjevanje je dovoljeno samo prijavljenim uporabnikom.
Objavi na:Bookmark and Share


Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše podrobnosti ali sproži prenos.

Gradivo je del revije

Naslov:Physical review
Skrajšan naslov:Phys. rev., B, Condens. matter mater. phys.
Založnik:The American Institute of Physics
Leto izida:2014
ISSN:1098-0121
COBISS.SI-ID:14196519 Novo okno

Licence

Licenca:CC BY-NC-ND 4.0, Creative Commons Priznanje avtorstva-Nekomercialno-Brez predelav 4.0 Mednarodna
Povezava:http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/deed.sl
Opis:Najbolj omejujoča licenca Creative Commons. Uporabniki lahko prenesejo in delijo delo v nekomercialne namene in ga ne smejo uporabiti za nobene druge namene.
Začetek licenciranja:03.10.2018

Sekundarni jezik

Jezik:Italijanski jezik
Naslov:Parametri EPR dei centri E' in v-SiO2 ottenuti mediante calcoli da principi primi


Nazaj