Repozitorij Univerze v Novi Gorici

Izpis gradiva
A+ | A- | Pomoč | SLO | ENG

Naslov:Single crystal synthesis and surface electronic structure of Bi_{1.993}Cr_{0.007}Se_{3}
Avtorji:ID Gardonio, Sandra (Avtor)
ID Benher, Zipporah Rini (Avtor)
ID Fanetti, Mattia (Avtor)
ID Moras, Paolo (Avtor)
ID Sheverdyaeva, Polina M. (Avtor)
ID Valant, Matjaž (Avtor)
Datoteke:URL https://pubs.rsc.org/en/Content/ArticleLanding/2024/TC/D4TC01967A
 
.pdf D4TC01967A.pdf (2,05 MB)
MD5: 8228C56CC6B3CC524779A8B45604DEF0
 
Jezik:Angleški jezik
Vrsta gradiva:Neznano
Tipologija:1.01 - Izvirni znanstveni članek
Organizacija:UNG - Univerza v Novi Gorici
Ključne besede:topological insulators, magnetic atoms, crystal synthesis, formation of clusters, surface electronic structure
Status publikacije:Objavljeno
Verzija publikacije:Recenzirani rokopis
Datum objave:01.01.2024
Leto izida:2024
Št. strani:str. 1-6
Številčenje:Vol. , issue
PID:20.500.12556/RUNG-9232 Novo okno
COBISS.SI-ID:204816131 Novo okno
UDK:620.1/.2
ISSN pri članku:2050-7534
DOI:10.1039/D4TC01967A Novo okno
NUK URN:URN:SI:UNG:REP:1PIV28ET
Datum objave v RUNG:21.08.2024
Število ogledov:382
Število prenosov:3
Metapodatki:XML RDF-CHPDL DC-XML DC-RDF
:
Kopiraj citat
  
Skupna ocena:(0 glasov)
Vaša ocena:Ocenjevanje je dovoljeno samo prijavljenim uporabnikom.
Objavi na:Bookmark and Share


Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše podrobnosti ali sproži prenos.

Gradivo je del revije

Naslov:Journal of materials chemistry : Materials for optical and electronic devices
Skrajšan naslov:J. mater. chem. C
Založnik:RSC Publications
ISSN:2050-7534
COBISS.SI-ID:16529686 Novo okno

Gradivo je financirano iz projekta

Financer:ARIS - Javna agencija za znanstvenoraziskovalno in inovacijsko dejavnost Republike Slovenije
Številka projekta:P2-0412
Naslov:Heterogeni procesi na površinah trdnin za trajnostne tehnologije

Financer:ARIS - Javna agencija za znanstvenoraziskovalno in inovacijsko dejavnost Republike Slovenije
Številka projekta:J2-3039
Naslov:Razvoj "pravega" topološkega izolatorja na osnovi Bi2Se3 z visoko 3D upornostjo

Licence

Licenca:CC BY-NC 3.0, Creative Commons Priznanje avtorstva-Nekomercialno 3.0 Nedoločena
Povezava:https://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0/deed.sl
Opis:Dovoljuje kopiranje in razširjanje vsebin v kakršnemkoli mediju in obliki. Dovoljuje remixanje, urejanje, predelava in vključevanje vsebine v lastna dela. Primerno morate navesti avtorja, povezavo do licence in označiti spremembe, če so kakšne nastale. To lahko storite na kakršenkoli razumen način, vendar ne na način, ki bi namigoval na to, da dajalec licence podpira vas ali vašo uporabo dela. Te vsebine ne smete uporabiti v komercialne namene. Ne smete uporabiti pravnih določil ali tehničnih ukrepov, ki bi pravno omejili ali onemogočilo druge, da bi storili karkoli, kar licenca dovoli.

Nazaj