Defect creation and Diffusion under electric fields from first-principles: the prototypical case of silicon dioxide

Izpis gradiva
A+ | A- | | SLO | ENG

Naslov:	Defect creation and Diffusion under electric fields from first-principles: the prototypical case of silicon dioxide
Avtorji:	ID Valant, Matjaž, UNG (Avtor) ID Luigi, Giacomazzi, UNG (Avtor), et al.
Datoteke:	Gradivo nima datotek, ki so prostodostopne za javnost. Gradivo je morda fizično dosegljivo v knjižnici fakultete, zalogo lahko preverite v COBISS-u.
Jezik:	Angleški jezik
Vrsta gradiva:	Delo ni kategorizirano
Tipologija:	1.08 - Objavljeni znanstveni prispevek na konferenci
Organizacija:	UNG - Univerza v Novi Gorici
Ključne besede:	Structural defect, amorphous structure, first-principle calcualtions
Leto izida:	2019
PID:	20.500.12556/RUNG-4837-ec46d610-d68b-f68c-1ad7-6e89dcc3b779
COBISS.SI-ID:	5476347
DOI:	10.1109/SISPAD.2019.8870555
NUK URN:	URN:SI:UNG:REP:DLSX27TF
Datum objave v RUNG:	30.10.2019
Število ogledov:	2887
Število prenosov:	0
Metapodatki:
:	Kopiraj citat

Skupna ocena:	(0 glasov)
Vaša ocena:	Ocenjevanje je dovoljeno samo prijavljenim uporabnikom.
Objavi na:

Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše podrobnosti ali sproži prenos.

Nazaj