Repozitorij Univerze v Novi Gorici

Izpis gradiva
A+ | A- | Pomoč | SLO | ENG

Naslov:Tunable emissive ▫$CsPbBr_3 /Cs_4PbBr_6$▫ quantum dots engineered by discrete phase transformation for enhanced photogating in field-effect phototransistors
Avtorji:ID Xiao, Han (Avtor)
ID Wan, Siyuan (Avtor)
ID He, Lin (Avtor)
ID Zou, Junlong (Avtor)
ID Mavrič, Andraž (Avtor)
ID Wang, Yixi (Avtor)
ID Piotrowski, Marek (Avtor)
ID Kumar Bandela, Anil (Avtor)
ID Samorì, Paolo (Avtor)
ID Wang, Zhiming M. (Avtor), et al.
Datoteke:URL https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/advs.202401973
 
.pdf 10.1002.advs.202401973.pdf (4,02 MB)
MD5: DE9DEEB065D14826A7EA621AA505D6E3
 
URL https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/advs.202401973
 
Jezik:Angleški jezik
Vrsta gradiva:Neznano
Tipologija:1.01 - Izvirni znanstveni članek
Organizacija:UNG - Univerza v Novi Gorici
Opis:Precise control of quantum structures in hybrid nanocrystals requires advancements in scientific methodologies. Here, on the design of tunable CsPbBr3/Cs4PbBr6 quantum dots are reported by developing a unique discrete phase transformation approach in Cs4PbBr6 nanocrystals. Unlike conventional hybrid systems that emit solely in the green region, this current strategy produces adjustable luminescence in the blue (450 nm), cyan (480 nm), and green (510 nm) regions with high photoluminescence quantum yields up to 45%, 60%, and 85%, respectively. Concentration‐dependent studies reveal that phase transformation mechanisms and the factors that drive CsBr removal occur at lower dilutions while the dissolution–recrystallization process dominates at higher dilutions. When the polymer‐CsPbBr3/Cs4PbBr6 integrated into a field‐effected transistor the resulting phototransistors featured enhanced photosensitivity exceeding 105, being the highest reported for an n‐type phototransistor, while maintaining good transistor performances as compared to devices consisting of polymer‐CsPbBr3 NCs.
Ključne besede:crystallization mechanisms, dilution-induced kinetic trapping, photogating effect, phototransistors, quantum dots
Status publikacije:Objavljeno
Verzija publikacije:Objavljena publikacija
Datum objave:01.01.2024
Leto izida:2024
Št. strani:str. 1-12
Številčenje:Vol. , issue [article no.] 2401973
PID:20.500.12556/RUNG-9152 Novo okno
ISSN:2198-3844
COBISS.SI-ID:199901955 Novo okno
UDK:53
ISSN pri članku:2198-3844
eISSN:2198-3844
DOI:10.1002/advs.202401973 Novo okno
NUK URN:URN:SI:UNG:REP:EVBDZQNY
Datum objave v RUNG:26.06.2024
Število ogledov:122
Število prenosov:1
Metapodatki:XML RDF-CHPDL DC-XML DC-RDF
:
Kopiraj citat
  
Skupna ocena:(0 glasov)
Vaša ocena:Ocenjevanje je dovoljeno samo prijavljenim uporabnikom.
Objavi na:Bookmark and Share


Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše podrobnosti ali sproži prenos.

Gradivo je del revije

Naslov:Advanced science
Založnik:Wiley-VCH
ISSN:2198-3844
COBISS.SI-ID:525092889 Novo okno

Gradivo je financirano iz projekta

Financer:ARIS - Javna agencija za znanstvenoraziskovalno in inovacijsko dejavnost Republike Slovenije
Program financ.:Raziskovalni program
Številka projekta:P2-0412
Naslov:Heterogeni procesi na površinah trdnin za trajnostne tehnologije

Licence

Licenca:CC BY 4.0, Creative Commons Priznanje avtorstva 4.0 Mednarodna
Povezava:http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/deed.sl
Opis:To je standardna licenca Creative Commons, ki daje uporabnikom največ možnosti za nadaljnjo uporabo dela, pri čemer morajo navesti avtorja.
Začetek licenciranja:21.06.2024

Nazaj